描述
- 採用 QLC 快閃記憶
- 讀取速度560MB/s，寫入速度530MB/
- 採用三星 V-NAND 技術，TB 等級容量，提升計算體驗
- 容量 8,000 GB (1 GB=1 Billion byte by IDEMA) * 一部分容量用於系統文件和維護用途，實際容量可能與產品標示不同
- 類型 2.5 inch
- 介面 SATA 6 Gb/s, 相容 SATA 3 Gb/s & SATA 1.5 Gb/s 介面
- 實體規格 ( 寬 X 長 X 高 ) 100 X 69.85 X 6.8 (mm)
- 重量 約 57.0g
- NAND Samsung V-NAND 4bit MLC
- 控制晶片 Samsung MKX Controller
- 快取記憶體 Samsung 8 GB Low Power DDR4 SDRAM
獨特功能
- TRIM Support TRIM 支援
- S.M.A.R.T Support S.M.A.R.T 支援
- 垃圾回收 垃圾自動回收演算法
- 資料加密 AES 256位元加密 (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (加密驅動器)
- 全球通用名稱 (World Wide Name) World Wide Name 支援
- 睡眠模式 有
效能
- 連續讀取速度 最高 560 MB/s 連續讀取 * 效能可能因 SSD 的韌體版本和系統硬體的裝置而有所差異
- 連續寫入速度 最高 530 MB/s 連續寫入 * 效能可能因 SSD 的韌體版本和系統硬體的裝置而有所差異 ** 使用 TurboWrite 技術測量效能
- 隨機讀取速度 (4KB, QD32) 最高 98,000 IOPS 隨機讀取 * 效能可能因 SSD 的韌體版本和系統硬體的裝置而有所差異 ** 使用 TurboWrite 技術測量效能
- 隨機寫入速度 (4KB, QD32) 最高 88,000 IOPS 隨機寫入 * 效能可能因 SSD 的韌體版本和系統硬體的裝置而有所差異 ** 使用 TurboWrite 技術測量效能
- 隨機讀取速度 (4KB, QD1) 最高 11,000 IOPS 隨機讀取 * 效能可能因 SSD 的韌體版本和系統硬體的裝置而有所差異 ** 使用 TurboWrite 技術測量效能
- 隨機寫入速度 (4KB, QD1) 最高 35,000 IOPS 隨機寫入 * 效能可能因 SSD 的韌體版本和系統硬體的裝置而有所差異 ** 使用 TurboWrite 技術測量效能
防護技術
- 平均功率消耗 平均: 3.3 W * 最大: 5.5 W (突發模式)* 實際功耗可能因系統硬體及裝置而異
- 功率消耗 (閒置模式) 最大45 mW * 實際功耗可能因系統硬體及裝置而異
- 允許電壓 5V ± 5%
- 可靠性 (MTBF) 150 萬小時 *MTBF: 平均故障間隔 (平均連續無故障時間)
- 作業溫度 0 - 70 ℃
- 抗震 1,500 G & 0.5 ms (Half sine)
軟體
- 管理軟體 管理魔術師軟體
保固
- 三年或2,880TBW 有限保固