型號代碼（容量） 1）
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MZ-VAP1T0BW (1TB)
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MZ-VAP2T0BW (2TB)
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MZ-VAP4T0BW (4TB)
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MZ-VAP8T0BW (8TB)
一般特徵
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應用
客戶端電腦、PlayStation ® 5
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外形尺寸
M.2 (2280)
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介面
PCIe ® 5.0 x4，NVMe ™ 2.0
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尺寸（寬 x 高 x 深）
1TB/2TB/4TB：80.15 x 22.15 x 2.38 毫米
8TB：80.15 x 22.15 x 3.88 毫米 -
重量
1TB/2TB/4TB：最大重量 9.0g
8TB：最大重量 9.5g -
儲存記憶體
三星 V-NAND TLC
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控制器
三星內部控制器
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高速緩存
三星 1GB 低功耗 DDR4X SDRAM（1TB）
三星 2GB 低功耗 DDR4X SDRAM（2TB）
三星 4GB 低功耗 DDR4X SDRAM（4TB）
三星 8GB 低功耗 DDR4X SDRAM（8TB）
特色
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TRIM 支持
支援
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SMART 支援
支援
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GC（垃圾收集）
自動垃圾收集演算法
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加密支援
AES 256 位元加密 (0 類) TCG/Opal
IEEE1667（加密磁碟機） -
WWN 支持
不支援
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設備睡眠模式支持
是的
表現 2）
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順序讀取
1TB：最高 14,700 MB/s
2TB：最高 14,700 MB/s
4TB：最高 14,800 MB/s
8TB：最高 14,800 MB/s（待定） -
順序寫入
1TB：最高 13,300 MB/s
2TB：最高 13,400 MB/s
4TB：最高 13,400 MB/s
8TB：最高 13,400 MB/s（待定） -
隨機讀取（4KB，QD32）
1TB：最高 1,850,000 IOPS
2TB：最高 1,850,000 IOPS
4TB：最高 2,200,000 IOPS
8TB：最高 2,200,000 IOPS（待定） -
隨機寫入（4KB，QD32）
1TB：最高 2,600,000 IOPS
2TB：最高 2,600,000 IOPS
4TB：最高 2,600,000 IOPS
8TB：最高 2,600,000 IOPS（待定）
環境
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平均功耗
（系統級） 3）1TB：平均 7.6 W 最大 7.2 W（突發模式）
2TB：平均 8.1 W 最大 7.9 W（突發模式）
4TB：平均 9 W 最大 8.2 W（突發模式） -
功耗（空閒） 3）
1TB：最大。 4 毫瓦
2TB：最大。 4.8 毫瓦
4TB：最大。 6.5 毫瓦 -
耗電量（裝置休眠）
1TB：最大。 3.3 毫瓦
2TB：最大。 4 毫瓦
4TB：最大。 5.7 毫瓦 -
允許電壓
3.3 V ± 5 % 允許電壓
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可靠性（MTBF）
150 萬小時可靠性 (MTBF)
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工作溫度
0 - 70 ℃ 工作溫度
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震驚
1,500 G & 0.5 毫秒（半正弦）
配件
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安裝套件
無法使用
軟體
保固單 4）
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MZ-VAP1T0BW (1TB)
5 年或 600 TBW 有限保修
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MZ-VAP2T0BW (2TB)
5 年或 1200 TBW 有限保修
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MZ-VAP4T0BW (4TB)
5 年或 2400 TBW 有限保修
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MZ-VAP8T0BW (8TB)
5 年或 4800 TBW 有限保修